特許

J-GLOBAL ID：200903070495980417

表面伝導型電子放出素子及びその製造方法、並びに該表面伝導型電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置

発明者： 織田 仁
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269724
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083537
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 電子放出特性の優れた、高寿命で安定性の良い表面伝導型電子放出素子を提供する。【解決手段】 電子放出部形成用薄膜3上に光触媒材料膜6を形成し、フォーミング処理により電子放出部2を形成した後、光照射しながら酸素ガスの存在下で電子放出部2にカーボン膜を堆積する活性化工程を行って表面伝導型電子放出素子を製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に素子電極を形成すると共に、素子電極間を連絡する電子放出部形成用の薄膜を形成する工程と、光触媒材料膜を形成する工程と、電子放出部形成用の薄膜に電子放出部を形成するフォーミング工程と、光照射しながら酸素ガスの存在下で電子放出部にカーボン膜を堆積する活性化工程と、を有することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/316 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

Fターム (6件)：

5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C036EH08 ,  5C036EH11