特許
J-GLOBAL ID：200903070499430594
半導体集積回路の描画パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328580
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213315
出願日： 1990年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】パターンの微細化により荷電粒子線で描画する際に発生する近接効果を短時間で処理し、極めて集積度の高い半導体集積回路のパターン形成方法得る。【構成】荷電粒子線に反応する感光剤を塗布した試料面上に荷電粒子線を照射し、照射後に感光剤を現像することによってパターンを作成する半導体集積回路の描画パターン形成方法にあって、予め描画すべきパターンデータから計算された試料面上の露光量を分布として保持し、上記荷電粒子線照射時にその露光量の分布を参照して、予め設定されていた荷電粒子線の露光量を照射単位ごとに修正する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の描画パターン形成方法。【効果】大型計算機で数十から数百時間以上必要とした近接効果補正のための図形処理計算を省略することができる。露光量の補正は微小な矩形データ単位になるので近接効果補正の質も格段に向上する。また超LSI製造にかかわる本発明の経済効果の点でも極めて大きい。
請求項（抜粋）：
荷電粒子線に反応する感光剤を塗布した試料面上に荷電粒子線を照射し、照射後に感光剤を現像することによってパターンを作成する半導体集積回路の描画パターン形成方法にあって、予め描画すべきパターンデータから計算された試料面上の露光量を分布として保持し、上記荷電粒子線照射時にその露光量の分布を参照して、予め設定されていた荷電粒子線の露光量を照射単位ごとに修正する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の描画パターン形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 541 E
