特許

J-GLOBAL ID：200903070500623997

酸化物超電導体の製造方法

発明者： 大橋 信一 ,  松原 俊哉
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148843
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213699
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】配向性が高く超電導特性の優れた酸化物超電導体を得る。【構成】金属テープ基板上に、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタリング法により面内配向したイットリウム部分安定化ZrO2 、SrTiO3 、MgO、BaSnO3 、Y2 O3 、CeO2 等の中間層薄膜を形成させ、その上に酸化物超電導体層を気相法により形成させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタリング法により面内配向した中間層薄膜を形成させ、その上に酸化物超電導体層を形成させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 12/06 ZAA