特許
J-GLOBAL ID：200903070501378457
光半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-007485
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196695
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置の製造方法に関し、メサの〔0-11〕方向の接線成分を有する側壁における被さり成長の発生を防止する。【解決手段】 活性層1を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、活性層1より上部に位置するn型電流ブロック層3を選択成長させる際に、n型不純物とII族p型不純物とを同時に含んだ雰囲気中で成長させる。
請求項（抜粋）：
活性層を含むメサ構造を埋め込む埋込層であって、前記活性層より上部に位置するn型電流ブロック層を成長させる際に、n型不純物とII族p型不純物とを同時に含んだ成長雰囲気中で成長させることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA22
, 5F073AA74
, 5F073AA86
, 5F073AB05
, 5F073AB25
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB11
, 5F073CB19
, 5F073DA05
