特許

J-GLOBAL ID：200903070505463289

高分子電解質膜およびその製造方法

発明者： フレディー・ヘルマー-メッツマン ,  フランク・オーサン ,  アルノルト・シュネラー ,  ヘルムート・リッター ,  コンスタンティン・レドイェフ ,  ローラント・ノルテ ,  ラルフ・トルヴィルス
出願人/特許権者： ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142226
公開番号（公開出願番号）：特開平6-093114
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【目的】 高分子固体電解質として使用するのに適し、十分な化学的安定性を有し、適当な溶剤に溶解するポリマーから製造さるイオン導電膜を提供する。【構成】【化1】(ここで、Arはp-および/またはm-結合を有するフェニレン環であり、Ar’はフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、アントリレン、または他の二価の芳香族構成単位であり、X、NおよびMはそれぞれ独立して0または1であり、Yは0、1、2または3であり、Pは1、2、3または4である)で表される芳香族ポリエーテルケトンをスルホン化し、そのスルホン酸を単離して有機溶媒に溶解し、その溶液をフィルムに転化することから成る、スルホン化芳香族ポリエーテルケトンからポリマー電解質膜を製造方法。

請求項（抜粋）：

スルホン化芳香族ポリエーテルケトンから高分子電解質膜を製造する方法であって、下記式(I)【化1】(ここで、Arはp-および/またはm-結合を有するフェニレン環あり、Ar’はフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、アントリレン、または他の二価の芳香族構造単位であり、X、NおよびMはそれぞれ独立して0または1であり、Yは0、1、2または3であり、Pは1、2、3または4である)で表される芳香族ポリエーテルケトンがスルホン化されており;そのスルホン酸が単離されて有機溶媒に溶解し;そしてその溶液がフィルムに転化され;前記方法が、以下の工程:a)スルホン酸中のスルホン基の少なくとも5%をスルホニルクロリド基に転化し、b)前記スルホニルクロリド基を、少なくとも1つの架橋性の置換基またはさらに官能基を含むアミンと反応させ、元のスルホン酸基の5-25%をスルホンアミド基に転化し、c)次いで、未反応のスルホニルクロリド基を加水分解し、得られた芳香族スルホンアミドを単離して有機溶媒に溶解し、溶液をフィルムに加工し、d)前記フィルム中の架橋性の置換基を架橋する、ことから成るもの。

IPC (6件)：

C08J 5/18 CEZ ,  C25B 13/08 301 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C08G 65/48 NQU ,  C08L 71/10 LQP

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-115954
  
• 特開昭57-025328
  
• 特開昭55-036296