特許

J-GLOBAL ID：200903070512680384

電流閉じ込め構造を持つ半導体素子及びその製造方法

発明者： ポール・マーシャル・チャールズ
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232080
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】1GHzを超えた帯域を持つ光通信リンクで使用されることのできる半導体素子、及びその製造方法。【解決手段】半導体装置は、活性層(10)、電流伝導領域(4)、及び電流伝導領域に隣接する1つ以上の電流閉じ込め領域(20、45)を含み、電流伝導領域(4)及び電流閉じ込め領域(20、45)が活性層(10)へと電流を流すように構成されており、電流閉じ込め領域が金属不純物を添加した電流障壁構造(45)と、p-n接合電流障壁構造(20)とを含み、p-n接合電流障壁構造(20)が電流伝導領域(4)と金属不純物を添加した電流障壁構造(45)との間に設けられている。

請求項（抜粋）：

活性層、電流伝導領域、及び前記電流伝導領域に隣接する1つ以上の電流閉じ込め領域を含み、前記電流伝導領域及び前記電流閉じ込め領域が前記活性層へと電流を流すように構成されており、前記電流閉じ込め領域が金属不純物を添加した電流障壁構造と、p-n接合電流障壁構造とを含み、前記p-n接合電流障壁構造が前記電流伝導領域と前記金属不純物を添加した電流障壁構造との間に設けられていることを特徴とする半導体素子。

Fターム (6件)：

5F073AA22 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB11 ,  5F073EA14