特許

J-GLOBAL ID：200903070519941574

単一電子トンネル素子およびその製造方法

発明者： 加道 博行 ,  任田 隆夫 ,  棚橋 一郎 ,  真鍋 由雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069630
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】構造および特性を制御した単一電子トンネル素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】微粒子間距離が5nm以下で近接した金属あるいは半導体からなる微粒子5を、電気絶縁性薄膜4中に分散することで形成される多重トンネル接合6を有する単一電子トンネル素子。この多重トンネル接合6はスパッタリング法などで、電気絶縁性物質と金属あるいは半導体微粒子とを交互に、あるいは同時に堆積させることにより製造される。

請求項（抜粋）：

多重トンネル接合を含む多重トンネル接合層と、該多重トンネル接合層に電圧を印加するための第1及び第2の電極と、を備え、該多重トンネル接合層は、電気絶縁性薄膜と、該電気絶縁性薄膜内に分散された金属微粒子及び/又は半導体微粒子とを含む単一電子トンネル素子。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/80 A