特許

J-GLOBAL ID：200903070520074523

半導体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、電子機器

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149858
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356235
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】微細孔を低コストに形成することを可能とする技術を提供すること。【解決手段】本発明の半導体膜の製造方法は、基板(10)上に絶縁膜(12)を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜(12)上に感光膜(14)を成膜する感光膜形成工程と、レーザ光(50)を光学的に複数のレーザビーム(54)に分岐して感光膜(14)に照射し、当該分岐されたレーザビーム(54)のそれぞれによって感光膜(14)の複数箇所を露光する露光工程と、露光後の感光膜(14)を現像し、複数箇所のそれぞれを開口させる現像工程と、感光膜(14)を介して絶縁膜(12)をエッチングし、絶縁膜(12)に複数の微細孔(16)を形成する微細孔形成工程と、感光膜(14)を除去する感光膜除去工程と、絶縁膜(12)上及び微細孔(16)内に非単結晶半導体膜を成膜する半導体膜形成工程と、非単結晶半導体膜を熱処理によって溶融結晶化させて結晶性半導体膜を形成する結晶化工程と、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜上に感光膜を形成する感光膜形成工程と、 前記感光膜に対してレーザビームを順次照射し、当該レーザビームによって前記感光膜の複数箇所を順次露光する露光工程と、 露光後の前記感光膜を現像し、前記複数箇所のそれぞれを開口させる現像工程と、 前記感光膜を介して前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、 前記感光膜を除去する感光膜除去工程と、 前記絶縁膜上及び前記微細孔内に非単結晶半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、 前記非単結晶半導体膜を熱処理によって溶融結晶化させて結晶性半導体膜を形成する結晶化工程と、 を含む、半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/30 529

Fターム (40件)：

5F046BA07 ,  5F046CA03 ,  5F046CB01 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052FA13 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04