特許

J-GLOBAL ID：200903070532165567

高品質シリコン単結晶の育成方法

発明者： 奥井 正彦 ,  江頭 和幸 ,  久保 高行 ,  伊藤 誠人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236717
公開番号（公開出願番号）：特開2000-072590
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月07日
要約：

【要約】【課題】CZ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。【解決手段】(1)単結晶内部に生じるリング状酸化誘起積層欠陥の外径が、結晶の直径の0〜60%の範囲に含まれる低速にて、育成中の単結晶と融液との固液界面形状が平坦もしくは上凸になる状態で引き上げをおこなうシリコン単結晶の育成方法。(2)るつぼの回転速度を5回転/分以下とする(1)のシリコン単結晶の育成方法。(3)単結晶の回転速度を13回転/分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。(4)るつぼの回転速度を5回転/分以下、かつ単結晶の回転速度を13回転/分以上とする(1)のシリコン単結晶育成方法。

請求項（抜粋）：

単結晶内部に生じるリング状酸化誘起積層欠陥の外径が、結晶の直径の0〜60%の範囲に含まれる低速にて、育成中の単結晶と融液との固液界面形状が平坦、もしくは上凸になる状態で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG12 ,  4G077EG14 ,  4G077EH08 ,  4G077HA12 ,  4G077PG01 ,  4G077PG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074866   出願人：信越半導体株式会社

審査官引用 (1件)

• 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074866   出願人：信越半導体株式会社