特許

J-GLOBAL ID：200903070532563090

固体高分子電解質膜及びその製造方法

発明者： 杉山 秀夫 ,  豊澤 真一 ,  吉川 雅人
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (6件)： 杉村 興作 ,  徳永 博 ,  岩佐 義幸 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  冨田 和幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-065086
公開番号（公開出願番号）：特開2006-252845
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】高温においても高いプロトン伝導性を有し、導電率が高い固体高分子電解質膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸性官能基を有する高分子の該酸性官能基を塩基で変性したイオン性高分子からなることを特徴とする固体高分子電解質膜、並びに、(i)酸性官能基を有する高分子の溶液に塩基を加え、該酸性官能基を塩基で変性してイオン性高分子の溶液を生成させる工程と、(ii)前記イオン性高分子の溶液から薄膜を作製する工程とを含むことを特徴とする固体高分子電解質膜の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸性官能基を有する高分子の該酸性官能基を塩基で変性したイオン性高分子からなることを特徴とする固体高分子電解質膜。

IPC (3件)：

H01B 1/06 ,  C08F 8/30 ,  H01B 13/00

FI (3件)：

H01B1/06 A ,  C08F8/30 ,  H01B13/00 Z

Fターム (21件)：

4J100AC26Q ,  4J100AE38P ,  4J100BA02P ,  4J100BA27H ,  4J100BA31H ,  4J100BA56P ,  4J100BB12P ,  4J100BB13P ,  4J100CA04 ,  4J100HA31 ,  4J100HA61 ,  4J100HC45 ,  4J100HC63 ,  4J100HE05 ,  4J100JA43 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026CX05 ,  5H026EE19