特許
J-GLOBAL ID:200903070534589097

素子製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-208471
公開番号(公開出願番号):特開平10-074719
出願日: 1997年07月16日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】【課題】 特性が改善されたスラリを用いて均一な研磨面を有する素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体素子の製造方法は、基板(19)を用意する段階(51),粒子が懸濁液に保持されているコロイド(17)を用意する段階(52),試薬(18)を用意する段階(53),基板(53)を処理ツール(10)に配置する段階(54),コロイド(17)および試薬(18)を化合させ、スラリ(28)を形成する段階(55),試薬(18)を界面活性剤および酸化剤に分解する段階(56),スラリ(28)を使用して、処理ツール(10)内で基板(19)を処理する段階(57),および基板(19)を処理ツール(10)から取り出す段階(58)を含む。
請求項(抜粋):
素子の製造方法であって:露出された金属層(23)を含む基板(19)を用意する段階;粒子と有機塩とを有する混合物(28)を用意する段階;および前記混合物(28)を前記基板(19)に適用する段階;とから成り、前記露出された金属層(23)と接触した後、前記有機塩は酸化剤と界面活性剤とに分解することを特徴とする方法。
IPC (3件):
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00
FI (3件):
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  B24B 1/00 A

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