特許
J-GLOBAL ID:200903070534703418

多結晶シリコンを研磨するプロセス及びそれに適したスラリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-005330
公開番号(公開出願番号):特開平11-265862
出願日: 1999年01月12日
公開日(公表日): 1999年09月28日
要約:
【要約】【課題】 エッジ腐食及び対応する欠陥を最小化する研磨プロセス及びスラリを提供することである。【解決手段】 研磨停止層の腐食を低減する研磨プロセスは、粒子及びアルカリ溶液のスラリを使用することを含む。研磨停止層の腐食を低減するスラリは、低減された固体含有量、より微細な粒子サイズ、及び増加された化学成分を有する。スラリのpHは約9.5乃至約10.5である。
請求項(抜粋):
絶縁体上で停止する、多結晶シリコンが充填されたバイアまたはトレンチを有するシリコン・ウェハを研磨するプロセスであって、前記シリコン・ウエハを、重量率で約0.2%乃至約0.4%の固体粒子を有するアルカリ溶液を含むスラリに接触させる工程を含む、プロセス。
IPC (2件):
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00
FI (2件):
H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-218089
  • 特開平3-118593
  • 面照明装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-238404   出願人:セイコーエプソン株式会社
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