特許

J-GLOBAL ID：200903070534743363

半導体集積回路およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦 ,  間瀬 晃 ,  魚地 秀貴
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-273376
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090512
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【構成】 単結晶半導体基板上に第1のMOSトランジスタを有する半導体回路を形成し、その後、薄膜状のトランジスタを第2のMOSトランジスタとして、第1のトランジスタの上に形成する半導体集積回路において、第2のトランジスタのゲイト電極はアルミニウムを主成分とする材料によって形成され、かつ、その表面は陽極酸化法によって形成されたアルミニウムの酸化物を主成分とする材料によって覆われていることを特徴とする半導体集積回路およびその作製方法

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、1つの導電型の第1のMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタ上に形成された層間絶縁物と、前記第1の層間絶縁物上に形成された第1のトランジスタとは異なる導電型であり、かつゲイト電極はアルミニウムを主成分とする材料によって構成され、かつ、その上面および側面が酸化アルミニウムを主成分とする材料によって被覆された第2のMOSトランジスタとを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/088 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 102 E ,  H01L 29/78 311 C