特許

J-GLOBAL ID：200903070537214400

希土類磁石材料の製造方法

発明者： 野村 卓司 ,  瀬▲ざき▼ 好司 ,  松成 靖典
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292251
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101915
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明はR(Rはイットリウムを含む希土類元素の少なくとも1種)、ホウ素、T(TはFeを主体とする3d族遷移金属元素)を主成分とする合金磁石粉末に窒素拡散処理を施す際に磁気的不純物相の生成を制御し、磁気特性を確実に向上せしめる。【構成】 R(但し、Rはイットリウムを含む希土類元素の少なくとも1種):10〜30原子%、ホウ素:2〜28原子%、T(但し、TはFeを主体とする3d族遷移金属元素):65〜82原子%からなる合金磁石粉末に窒素拡散処理を施した後、前記処理温度から300°C以下になるまでの間を急冷却する等方性または異方性を有する希土類磁石材料の製造方法。

請求項（抜粋）：

R(但し、Rはイットリウムを含む希土類元素の少なくとも1種):10〜30原子%、ホウ素:2〜28原子%、T(但し、TはFeを主体とする3d族遷移金属元素):65〜82原子%からなる合金磁石粉末に窒素拡散処理を施した後、前記処理温度から300°C以下になるまでの間を急冷却する等方性または異方性を有する希土類磁石材料の製造方法。

IPC (2件)：

H01F 1/053 ,  H01F 41/02