特許

J-GLOBAL ID：200903070537921467

高電力半導体スイッチ・モジュール

発明者： ドナルド・ユージン・レイク ,  アイマン・イスマイル・アルホウッサミ ,  チャールズ・タイラー・アイッチェソン
出願人/特許権者： デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213913
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169907
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 高出力および低インダクタンスを生じる、高電力/高周波数の半導体スイッチング・デバイス18を含む高出力モジュール10と、このデバイスを動作させる方法とを提供する。【構成】 モジュール10は、構造的、幾何学的および電気的な対称性を包含する。このモジュールはまた、短い内部リードと、特殊なICチップ基板と、調整可能ゲート・リード抵抗30と、特殊な複合金属/セラミック基部プレート44と、特殊な端子導体の重なりを含むものである。

請求項（抜粋）：

高周波数で動作することが可能な高電力半導体デバイス・モジュールにおいて、チャンバを形成するハウジング(46)と、予め定めた低電気抵抗、予め定めた形状および第1の全電気インピーダンスを持つ入力導体(34)と、該入力導体と類似する電気抵抗および全電気インピーダンスを持つ出力導体(36)と、前記入出力導体が相互に実質的に重ならせる形状とを備え、前記入出力導体が実質的に重なり合う状態にあることにより、該導体に流れる入出力電流が、前記各電流のインダクタンスを実質的に中立化させる実質的に等しいが方向が反対であり得るようにし、前記入出力導体に対して接近状態で前記チャンバ内に配置される少なくとも1つの絶縁ゲート半導体スイッチング・デバイス(18)を備えることを特徴とする高電力半導体デバイス・モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18