特許
J-GLOBAL ID：200903070539825503
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-130517
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 スミア現象による偽信号の発生を抑制する。【構成】 光電変換素子と、この光電変換素子にて発生した電荷を転送させる電荷転送素子とが半導体基板主表面に形成された固体撮像素子において、前記電荷転送素子下の半導体層にこの個所で発生した電荷を半導体基板の裏面側に掃き出す手段を設けた。
請求項（抜粋）：
光電変換素子と、この光電変換素子にて発生した電荷を転送させる電荷転送素子とが半導体基板主表面に形成された固体撮像素子において、前記電荷転送素子下の半導体層にこの個所で発生した電荷を半導体基板の裏面側に掃き出す手段を設けたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
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