特許
J-GLOBAL ID：200903070542019747
選択CVD方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-209271
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 選択CVD方法において、選択性が発現する温度領域を広くできる方法の提供。【構成】 Siの熱酸化膜をエッチングして一部を除去し、ビアホール13を開けた基板を2%のフッ酸水溶液で洗浄し乾燥させる。その基板14を、ヒータ15または赤外線ランプ16で、表面温度が300°C以上1000°C以下になるように加熱する。これによって、Si表面からHが除去されSiO2 表面からはOH基が除去され、両表面ともに清浄化される。この清浄化工程後の基板14にAlの原料DMAH(ジメチルアルミニウムハイドライド)を用いてCVDを行なうと、Si/SiO2 の選択成長が、150〜300°Cの広い温度範囲で可能になる。【効果】 選択性発現の温度範囲が150度あり、従来の10度の幅に対して15倍もある。そのため選択CVDの温度制御が容易になり、装置構成が簡単になる。
請求項（抜粋）：
異種材料が表面に露出している基板の、前記異種材料の内の特定の材料面にだけ所望の膜を成長させる選択CVD方法において、CVDの工程前に、300°C以上1000°C以下の温度になるまで前記基板を加熱し、基板表面の加熱クリーニングを行う工程を有することを特徴とする選択CVD方法。
IPC (2件)：
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