特許
J-GLOBAL ID:200903070543561227

希土類系酸化物超電導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 一平 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-248864
公開番号(公開出願番号):特開平5-085723
出願日: 1991年09月27日
公開日(公表日): 1993年04月06日
要約:
【要約】【目的】 Ag成分が超電導結晶相中に均一に分散された超電導特性の優れた希土類系酸化物超電導体の提供。【構成】 RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、希土類元素を表す。)を構成するRE、Ba及びCu成分とAg成分とからなる原料粉末を成形してなる成形体を、該酸化物超電導体の分解溶融温度以上で加熱処理し、その後酸素分圧が0.001〜0.05気圧の雰囲気下でAg成分の凝固点以下の温度から徐冷して、該酸化物超電導結晶相を成長させることを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
請求項(抜粋):
RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは、希土類元素を表す。)を構成するRE、Ba及びCu成分とAg成分とからなる原料粉末を成形してなる成形体を、該酸化物超電導体の分解溶融温度以上で加熱処理し、その後酸素分圧が0.001〜0.05気圧の雰囲気中、Ag成分の凝固点以下の温度から徐冷して、該酸化物超電導結晶相を成長させることを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
IPC (6件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

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