特許

J-GLOBAL ID：200903070550096122

大電力用エミッタを備えたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタとその製造法

発明者： ウィリアム ウェイ - チュング リウ ,  ダレル ジー.ヒル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064070
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007013
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 大電力でも安定に動作するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのためのエミッタ構造体およびその製造法を提供する。【構成】 このトランジスタは、基板と、サブコレクタ層と、コレクタ層と、ベース層と、x>0.4としてAlx Ga1-x Asのエミッタ層を有する。このAlGaAs層は、バラスト抵抗器と活性エミッタとの両方の役割を果たす。

請求項（抜粋）：

x>0.4としてAlx Ga1-x Asのエミッタ層を有し、かつ、前記エミッタ層がベース層との間に明確な境界面を有して接合し、それにより、前記エミッタ層がバイポーラ・トランジスタに対しバラスト抵抗器として動作しかつ活性エミッタとして動作する、バイポーラ・トランジスタのためのエミッタ構造体。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭48-070483
  
• 特開昭48-070483
  
• 特開平3-095935
  
• 特開昭63-160377