特許
J-GLOBAL ID：200903070555444765
導電ペースト転写方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 寛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329448
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193101
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、導電ペースト転写方法に関し、工程省略による作業時間短縮と、導電ペーストの消費低減を目的とする。【構成】 転写ツール3は、バンプ電極2の形成された所定領域に対応して形成された溝4であって、所定の深さを有し、平坦な底面4Aを有するものを備え、かつ、溝4内に導電ペースト7を充填してなる。バンプ電極2の突起部2Aが溝4の底面4Aに当接するようにチップ1を転写ツール3に押し当てることによって、突起部2Aの平坦化されたバンプ電極8を形成すると共に、これに溝4内の導電ペースト7を転写する。
請求項（抜粋）：
チップ(1)の所定領域に形成され突起部(2A)を有するバンプ電極(2)に対して、転写ツール(3)から導電ペースト(7)を転写する導電ペースト転写方法であって、前記転写ツール(3)は、前記バンプ電極(2)の形成された所定領域に対応して形成された溝(4)であって、所定の深さを有し、平坦な底面(4A)を有するものを備え、かつ、前記溝(4)内に前記導電ペースト(7)を充填してなり、前記チップ(1)のバンプ電極(2)と前記転写ツール(3)の溝(4)とが対応するように前記チップ(1)と転写ツール(3)とを対向させ、前記バンプ電極(2)の突起部(2A)が前記溝(4)の底面(4A)に当接するように前記チップ(1)を前記転写ツール(3)に押し当て、前記突起部(2A)の平坦化されたバンプ電極(8)を形成すると共に、これに前記溝(4)内の導電ペースト(7)を転写することを特徴とする導電ペースト転写方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
, H05K 3/34 505
