特許

J-GLOBAL ID：200903070556431969

半導体ウェハおよびそれを用いた半導体集積回路装置、ならびに半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 菊地 広 ,  佐藤 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047138
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246387
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 複数機能を持つLSIの開発において、開発期間の短縮、高密度な実装、複数の機能、伝送速度の短縮が可能な半導体ウェハおよびそれを用いた半導体集積回路技術を提供する。【解決手段】 所定数の半導体チップによるグループ単位で1つの集積回路を形成する通信用LSIであって、互いに隣接して配置される4個の半導体チップ1〜4から構成され、これらの半導体チップ1〜4の周囲にはスクライブライン5、半導体チップ1〜4の間にはスクライブライン6がそれぞれ設けられ、またスクライブライン6を挟んで配線7が形成されている。このLSIの開発当初は、スクライブライン5,6で半導体チップ1〜4を切断して、単体のLSIとして改良設計とテスティングが行われ、開発完了後は、これらの半導体チップ1〜4を1つのLSIとして切断して、複数機能を持つ通信用LSIが完成される。

請求項（抜粋）：

スクライブラインに囲まれた複数個の半導体チップからなる半導体ウェハであって、前記複数個の半導体チップは、互いに隣接する所定数の半導体チップによるグループ単位で所定の回路機能を有し、かつこのグループ単位内のそれぞれの半導体チップで所定の回路機能を有することを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (6件)：

H01L 21/82 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 21/82 A ,  H01L 21/66 E ,  G01R 31/28 V ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 R ,  H01L 27/04 A