特許

J-GLOBAL ID：200903070557693010

半導体素子及びその製造方法

発明者： 金 榮 寛 ,  朴 興 秀 ,  朴 泳 旭 ,  李 相 ▲忍▼ ,  張 允 僖 ,  李 鍾 鎬 ,  崔 城 ▲済▼ ,  李 承 桓 ,  林 載 順 ,  李 周 ▲遠▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242995
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111000
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン系物質で構成された第1電極と、前記第1電極の表面を親水性化させて誘電体膜の形成を容易にする安定化膜と、反応物を順次供給して形成された前記誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第1電極より仕事関数が大きい第2電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン系物質で構成された第1電極と、前記第1電極上に反応物を順次供給して形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第1電極より仕事関数が大きい第2電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子。

IPC (8件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/62 G