特許
J-GLOBAL ID:200903070558147176
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
▲角▼谷 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-191023
公開番号(公開出願番号):特開2006-310719
出願日: 2005年06月30日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【課題】 従来の半導体装置では、高電位が印加された配線層が分離領域上面を交差する領域では、その分離領域で耐圧劣化するという問題があった。【解決手段】 本発明の半導体装置では、基板2上にエピタキシャル層3が堆積し、分離領域4で区画された領域にLDMOSFET1が形成されている。ドレイン電極16と接続する配線層18が分離領域4上面を交差する領域では、配線層18の下方に接地電位の導電プレート24とフローティング状態の導電プレート25とが形成されている。この構造により、配線層18下方では、分離領域4近傍での電界が緩和され、LDMOSFET1の耐圧特性が向上する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体層を複数の素子形成領域へと区画する分離領域と、
前記半導体層上面に形成された絶縁層と、
前記分離領域上面を交差し、前記絶縁層上面に一方の前記素子形成領域から他方の前記素子形成領域へと配線された配線層とを有し、
前記配線層下方の前記絶縁層には、前記分離領域と前記半導体層との接合領域上方を覆うように配置され、前記分離領域と電気的に接続した第1の導電プレートと、
前記第1の導電プレートと前記配線層との間にフローティング状態で配置され、少なくとも一部の領域が、前記第1の導電プレート及び前記配線層のそれぞれと対向するように形成された第2の導電プレートとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (9件):
H01L 29/06
, H01L 27/08
, H01L 21/76
, H01L 29/78
, H01L 27/088
, H01L 21/823
, H01L 23/52
, H01L 21/320
, H01L 29/41
FI (8件):
H01L29/06 301F
, H01L27/08 331A
, H01L21/76 L
, H01L29/78 301R
, H01L27/08 102A
, H01L21/88 S
, H01L29/44 Y
, H01L29/78 301W
Fターム (101件):
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB28
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF16
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG19
, 4M104HH20
, 5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AB01
, 5F032AB05
, 5F032BB01
, 5F032BB08
, 5F032CA17
, 5F032CA24
, 5F032DA12
, 5F032DA42
, 5F033HH09
, 5F033HH28
, 5F033KK04
, 5F033KK28
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR15
, 5F033SS04
, 5F033VV00
, 5F033VV03
, 5F033VV10
, 5F033XX00
, 5F048AA04
, 5F048AA05
, 5F048AA09
, 5F048AC01
, 5F048BA02
, 5F048BA03
, 5F048BA12
, 5F048BB05
, 5F048BB09
, 5F048BB12
, 5F048BB20
, 5F048BC01
, 5F048BC03
, 5F048BC07
, 5F048BE09
, 5F048BF06
, 5F048BF07
, 5F048BF11
, 5F048BF16
, 5F048BF18
, 5F048BG12
, 5F048BG13
, 5F140AA25
, 5F140AA40
, 5F140AB01
, 5F140AC21
, 5F140BA01
, 5F140BA16
, 5F140BC12
, 5F140BD19
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF07
, 5F140BF11
, 5F140BF17
, 5F140BF44
, 5F140BF54
, 5F140BH04
, 5F140BH17
, 5F140BH30
, 5F140BH43
, 5F140BH47
, 5F140BH50
, 5F140BJ03
, 5F140BJ11
, 5F140BJ16
, 5F140BJ17
, 5F140BJ18
, 5F140BJ27
, 5F140BK25
, 5F140CB01
, 5F140CB04
, 5F140CC01
, 5F140CC03
, 5F140CC07
, 5F140CC08
, 5F140CC15
, 5F140CC16
, 5F140CD08
, 5F140CD09
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-043588
出願人:松下電工株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-070694
出願人:松下電工株式会社
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