特許
J-GLOBAL ID:200903070568931479
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-096983
公開番号(公開出願番号):特開2003-298062
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年10月17日
要約:
【要約】【課題】 チャネル界面に不純物が存在しなく、かつ、チャネル界面における酸化物半導体膜の膜質が良好な、可視光に対して透明となる特性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)を得る。【解決手段】 下地となる基板2上に、上記酸化物半導体膜6が形成される下地膜5、上記酸化物半導体膜6、ゲート絶縁膜7、および、ゲート電極8を、この順に形成する。
請求項(抜粋):
酸化物半導体膜をチャネル層に用いる薄膜トランジスタにおいて、下地となる基板上に、上記酸化物半導体膜が形成される下地膜、上記酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、および、ゲート電極が、この順に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/336
FI (4件):
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 E
Fターム (34件):
5F052AA11
, 5F052AA17
, 5F052AA24
, 5F052DA06
, 5F052DB07
, 5F052FA06
, 5F052JA01
, 5F110AA01
, 5F110AA30
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG13
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG24
, 5F110GG33
, 5F110GG41
, 5F110GG43
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110PP02
, 5F110PP04
, 5F110PP10
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