特許
J-GLOBAL ID:200903070571414191

溶射前処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大島 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-117553
公開番号(公開出願番号):特開平7-305158
出願日: 1994年05月06日
公開日(公表日): 1995年11月21日
要約:
【要約】【目的】 真空度が良くない真空槽でも負性移行型アーク処理により基板全面を清浄化処理し、密着性の優れた溶射被膜を形成すると共に凹面を有する複雑形状品に於ても全面を負性移行型アークの陰極点により清浄化処理し、密着性の優れた溶射被膜を形成することができる溶射前処理方法を提供する。【構成】 負性移行型アークによる予熱を行い、かつ基板が700°Cに加熱される以前に予熱を停止することにより、また、負性移行型アークによる予熱時の圧力を15Torr以下とすることにより、更に基板をショットブラスト処理した後に当該処理を行うことにより、真空度が良くない真空槽に於ても負性移行型アーク処理により基板全面を清浄化処理し、密着性の優れた溶射被膜を形成可能となると共に凹面を有する複雑形状品に於ても全面を負性移行型アークの陰電極により清浄化処理し、密着性の優れた溶射被膜を形成することが可能となる。
請求項(抜粋):
減圧プラズマ容器内で基板を予熱してから基板上に溶射被膜を形成する溶射方法の前処理方法に於て、負性移行型アークによる予熱を行い、かつ基板が700°Cに加熱される以前に予熱を停止することを特徴とする溶射前処理方法。

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