特許
J-GLOBAL ID：200903070581300640
薄膜評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071439
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275352
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 基板の表面に形成した薄膜の評価を、膜そのものを評価することなく、しかも安価に迅速に行えるようにしたものを提供する。【構成】 薄膜成長室1内に供給ガスを導入して該薄膜成長室1内に配置した基板2の表面に形成した薄膜を評価する薄膜評価方法において、前記薄膜成長室1から排出される排出ガスを排気ガス分析装置11で分析し、この分析結果から薄膜の評価を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
薄膜成長室内に供給ガスを導入して該薄膜成長室内に配置した基板の表面に形成した薄膜を評価する薄膜評価方法において、前記薄膜成長室から排出される排出ガスを分析し、この分析結果から薄膜の評価を行うことを特徴とする薄膜評価方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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