特許

J-GLOBAL ID：200903070582094741

5-置換及び5,8-置換-2,3-ジシアノナフタレンの製造法、並びにこれらを使用したナフタロシアニン誘導体の製造法

発明者： 桑野 敦司 ,  渡辺 伊津夫 ,  富山 健男 ,  本田 裕
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207517
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067826
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】ナフタロシアニン誘導体を高収量で製造する方法を提供する。【構成】1-置換-2,3-ジメチルベンゼンを、N-ブロモこはく酸イミドと反応させ、これをフマロニトリルと反応させ、これをN-ブロモこはく酸イミドと反応させ化7の5-置換-2,3-ジシアノナフタレンの製造し、【化7】〔X1は電子吸引性の基。〕これを環化反応させナフタロシアニン誘導体を製造する。

請求項（抜粋）：

化1の式(1)【化1】〔式(1)において、X1は電子吸引性の基。〕で表される1-置換-2,3-ジメチルベンゼンを、化2の式(2)【化2】で表されるN-ブロモこはく酸イミドと反応させ、化3の式(3)【化3】〔式(3)において、X1は電子吸引性の基。〕で表される化合物を得、これを化4の式(4)【化4】で表されるフマロニトリルと反応させて、化5の式(5)【化5】〔式(5)において、X1は電子吸引性の基。〕で表される化合物を得、これを化6の式(2)【化6】で表されるN-ブロモこはく酸イミドと反応させることを特徴とする、化7の式(6)【化7】〔式(6)において、X1は電子吸引性の基。〕で表される5-置換-2,3-ジシアノナフタレンの製造法。

IPC (3件)：

C09B 47/067 ,  C07C253/30 ,  C07C255/47