半導体薄膜およびそれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144608
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】レーザアニールによる溶融再結晶化法によって得られる珪素半導体薄膜は再現性が悪く実用的ではなかった。【解決手段】酸素、窒素、炭素の濃度がいずれも1×1019cm-3以下のアモルファス珪素半導体薄膜に、固相秩序化領域において紫外線レーザを照射しラマンピークのラマンシフトを515cm-1以下の半導体薄膜とする。

請求項（抜粋）：

炭素、窒素および酸素の濃度がいずれも1×1019cm-3以下であるアモルファス珪素薄膜を紫外線レーザ光を照射して、ラマン・ピークのラマンシフトが515cm-1以下の波数にせしめることによって得られたことを特徴とする半導体薄膜。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/04 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/12 R , H01L 29/04 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平1-241862
特開昭62-104117
特開昭63-025913

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