特許

J-GLOBAL ID：200903070590700626

高アスペクト比の導体回路の製造方法

発明者： 今井 秀秋 ,  椿原 正洋
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-107698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291944
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 高アスペクト比の導体回路を再現性良く設計パターン形状になるように形成して、高密度の導体回路を提供すること。【解決手段】 導電性基板の上に感光性樹脂層を形成する工程、所定のパターンを形成したフォトマスクを使用して感光性樹脂層を露光する工程、溶液系による現像工程、反応性イオンエッチングによる現像工程、およびメッキ工程を有することからなる導体回路の製造方法において、露光工程における導電性基板上の感光性樹脂の反応率を30%以上、溶液系におけるレジストパターン現像比を0.6から1.0にすることにより高アスペクト比のメッキ配線からなる導体回路を製造する。

請求項（抜粋）：

導電性基板の上に感光性樹脂層を形成する工程と、所定のパターンを形成したフォトマスクを使用して感光性樹脂層を露光する工程と、溶液系による現像工程と、反応性イオンエッチングによる現像工程と、メッキ工程とを有する高アスペクト比の導体回路の製造方法において、前記露光工程における前記導電性基板上の前記感光性樹脂の反応率が30%以上、前記溶液系による現像工程におけるレジストパターン現像比が0.6から1.0であることを特徴とする高アスペクト比の導体回路の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/18 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/20

FI (3件)：

H05K 3/18 D ,  H05K 1/16 B ,  H05K 3/20 B

Fターム (18件)：

4E351AA14 ,  4E351BB09 ,  4E351BB22 ,  4E351BB33 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351GG01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA22 ,  5E343BB15 ,  5E343BB21 ,  5E343BB71 ,  5E343CC62 ,  5E343DD43 ,  5E343DD56 ,  5E343DD63 ,  5E343ER18 ,  5E343GG08