特許
J-GLOBAL ID：200903070592375005
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310815
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 接合界面において価電子帯に不連続が存在するp-p接合の電圧-電流特性の向上を図る。【構成】 p型ZnSeコンタクト層5とp型ZnTeコンタクト層6との接合部においてp型ZnSeコンタクト層5側に形成される空乏層内に、p型ZnTe層およびp型ZnSe層をそれぞれ量子井戸層および障壁層とする多重量子井戸層9を形成する。多重量子井戸層9の各量子井戸層の厚さは各量子井戸層の量子準位がp型ZnSeおよびp型ZnTeの価電子帯の頂上のエネルギーとほぼ等しくなるように設定する。
請求項（抜粋）：
第1のp型のII-VI族化合物半導体と第2のp型のII-VI族化合物半導体との接合を有し、上記接合の界面において上記第1のp型のII-VI族化合物半導体の価電子帯の頂上のエネルギーは上記第2のp型のII-VI族化合物半導体の価電子帯の頂上のエネルギーよりも低い半導体装置において、上記第1のp型のII-VI族化合物半導体のうちの上記界面の近傍の部分の不純物濃度は他の部分の不純物濃度よりも高くなっているとともに、上記第1のp型のII-VI族化合物半導体側に形成される上記接合の空乏層内に上記第2のp型のII-VI族化合物半導体から成る量子井戸層および上記第1のp型のII-VI族化合物半導体から成る障壁層を有する多重量子井戸層が設けられ、それぞれの上記量子井戸層の厚さはそれぞれの上記量子井戸層の量子準位が上記第1のp型のII-VI族化合物半導体および上記第2のp型のII-VI族化合物半導体の価電子帯の頂上のエネルギーとほぼ等しくなるように設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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