特許
J-GLOBAL ID：200903070598887792
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047015
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334132
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 薄膜ゲートを有するC-MOSトランジスタにおいて、N-MOS側でのゲート容量の過大な増加に伴う電子の移動度の低下、及びホットエレクトロンのゲート酸化膜へのトラップを防ぎ、効率的な高速化を図り、かつ高信頼性を確保する。【構成】 シリコン基板1上にN型拡散層2、P型拡散層3、フィールド酸化膜4を順次形成する。続いて全面を酸化し、酸化膜5を形成する。次にN-MOS領域にフォトレジスト6を被膜し、エッチングによりP-MOS領域のみゲート酸化膜を除去し、再び全面を酸化し、P-MOS領域よりも、N-MOS領域の膜厚が大きいゲート酸化膜7を得る。以下ゲート電極8を形成した後、P-MOS領域にP型拡散層9を、N-MOS領域にN型拡散層10をそれぞれイオン注入により形成する。
請求項（抜粋）：
C-MOSトランジスタにおいて、P-MOS領域のゲート酸化膜よりも、N-MOS領域のゲート酸化膜が厚いトランジスタ構造を持つことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/092
, H01L 29/784
H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 C
