特許

J-GLOBAL ID：200903070599965428

半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法並び に結晶成長方法

発明者： 本多 正治 ,  浜田 弘喜 ,  庄野 昌幸 ,  廣山 良治 ,  松川 健一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027951
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063304
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 この発明の目的は、製造工程の簡略化が図れ、信頼性の高い半導体レーザ装置及び端面非注入型半導体レーザ装置を得ることにある。また、この発明の他の目的は、しきい値電流の低減、最高出力、最高発振温度の向上を図ることにある。【構成】 メサ21またはV溝22を有する半導体層5上に、n型とp型の両方のドーパントを同時に用いて結晶を成長させることにより、上記半導体層5の平坦面上にn型の電流狭窄用ブロック層6が、上記メサまたはV溝の傾斜面上にp型の電流通路層7が形成されている。

請求項（抜粋）：

部分的に所定の傾斜面が形成された半導体層上に、n型とp型の両方のドーパントを同時に用いて結晶を成長させることにより、上記半導体層の平坦面上にn型の電流狭窄用ブロック層が、上記傾斜面上にp型の電流通路層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-159783
  
• 特開昭63-056981
  
• 特開平1-239980