特許
J-GLOBAL ID：200903070603196787
磁気素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058361
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250719
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 従来の磁気素子では、磁性層とコイル層との絶縁をとるための絶縁層が、硬化温度が350°C以上であるポリイミド樹脂を用いて形成されていたため、絶縁層を形成する時に加えられる熱のために、磁性層の比抵抗が低下していた。【解決手段】 薄膜インダクタの絶縁層6、8、及び10を、硬化温度が250°C以下であるノボラック系のポジレジストを用いて形成することにより、絶縁層形成時の温度を低下させることができるので、磁性層5,9の比抵抗の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
コイルおよび前記コイルを覆う磁性層と、前記コイルと前記磁性層との間に形成された熱硬化性樹脂の絶縁層とを有する磁気素子において、前記絶縁層を形成する前記熱硬化性樹脂の硬化温度が、前記磁性層の比抵抗が成膜直後より10%低下する温度よりも低いことを特徴とする磁気素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049BA12
, 5E049CC01
, 5E049EB01
, 5E049FC01
, 5E049GC01
, 5E049HC05
