特許

J-GLOBAL ID：200903070605519460

高周波スイッチ

発明者： 飯 田 和 浩
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202502
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 小型の高周波スイッチを得る。【構成】 積層体12の誘電体層14,18のアース電極16とコンデンサ電極20とでコンデンサを形成する。誘電体層22のライン電極24,26とアース電極16とで、マイクロストリップラインを形成する。誘電体層28に、インダクタ電極30を形成する。誘電体層32のコンデンサ電極34,36,38と誘電体層40のコンデンサ電極42,44,46とで、3つのコンデンサを形成する。誘電体層48に、他の必要なチップ部品を取り付け、ランドで接続する。これらの内部電極およびチップ部品をビアホールまたは外部電極で接続し、高周波スイッチを形成する。

請求項（抜粋）：

送信回路,受信回路およびアンテナに接続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための高周波スイッチであって、前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側にカソードが接続される第1のダイオード、前記アンテナ側と前記受信回路側との間に接続される伝送線路、および前記受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第2のダイオードを含み、前記伝送線路は多層基板内にマイクロストリップラインとして形成され、前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードは前記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。

IPC (3件)：

H01P 1/15 ,  H01P 1/213 ,  H04B 1/48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-108301
  
• 特開昭63-128801
  
• 特開平4-220004