特許

J-GLOBAL ID：200903070605824602

ショットキーバリア半導体装置

発明者： 有吉 昶 ,  末吉 正昭 ,  坂本 孝一 ,  福田 進
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106138
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283672
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 ショットキーバリアダイオードの順方向電流電圧特性と逆耐圧特性を向上させる。【構成】 n+-GaAs層2の上に形成されたn--GaAs層3をエッチングして突起部8を形成する。突起部8の上にはオーミック接触金属膜4を形成し、突起部8以外の谷面には絶縁層9を形成する。オーミック接触金属膜4及び絶縁層9の上から全体にショットキー接触金属膜5を形成する。ショットキー電極6は、オーミック接触金属膜4及びショットキー接触金属膜5からなる。オーミック電極7はn+-GaAs層2の下面全体に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体導電層の上に低キャリア濃度層が形成され、低キャリア濃度層の一部ないし全体の上にショットキー電極のオーミック接触領域が形成され、低キャリア濃度層ないし半導体導電層の上にショットキー電極のショットキー接触領域が形成され、前記ショットキー接触領域の半導体導電層に近接する部分と半導体導電層との中間に絶縁性ないし高抵抗の緩衝層が設けられていることを特徴とするショットキーバリア半導体装置。