特許
J-GLOBAL ID：200903070611553688
X線応力測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043791
公開番号（公開出願番号）：特開平8-240489
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 X線応力測定方法において、X線照射径を小さくして回折像が斑点状でも精度が高い回折像を得て被測定物の微小部分の応力を非破壊で精度良く測定する。【構成】 X線応力測定方法において、多結晶質被測定物1の微小部分の特定結晶面に特性X線を照射し、この回折像を検出し、特定結晶面の間隔を測定する。さらに、特性X線の回折像のX線照射影内の結晶粒数を測定し、特定結晶面に照射する特性X線の照射角度を変更し、この特性X線の回折像のX線照射影内の結晶粒数を前述の結晶粒数に一致又は近似させる。照射角度が変更された特性X線の照射位置、この特性X線の検出位置の夫々に対して多結晶質被測定物1の位置が調整され、この状態で前記特性X線の回折像が検出され、特定結晶面の間隔が測定され、多結晶質被測定物1の微小部分の応力が測定される。
請求項（抜粋）：
多結晶質被測定物の特定結晶面の間隔を入射角度が異なるX線で測定し、この測定結果に基づいて多結晶質被測定物の微小部分の応力を測定する、X線応力測定方法において、前記多結晶質被測定物の微小部分の特定結晶面に特性X線を照射し、この特性X線の回折像を検出し、前記特定結晶面の間隔を測定するとともに、前記特性X線の回折像のX線照射影内の結晶粒数を測定する段階と、前記特定結晶面に照射する特性X線の照射角度を変更し、前記照射角度が変更された特性X線の回折像のX線照射影内の結晶粒数を前述の測定された結晶粒数に一致又は近似させ、前記照射角度が変更された特性X線の照射位置、この特性X線の検出位置の夫々に対して前記多結晶質被測定物の位置を調整する段階と、前記特性X線の照射位置、特性X線の検出位置及び多結晶質被測定物の位置を調整した状態で、前記照射角度が変更された特性X線の回折像を検出し、特定結晶面の間隔を測定し、前記多結晶質被測定物の微小部分の応力を測定する段階とを具備したことを特徴とするX線応力測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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