多接合型太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：佐藤辰彦 , 千葉剛宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-198545
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028118
出願日： 2006年07月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】4接合太陽電池を実現でき、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体からなる基板2上に核生成サイトを配設し、第1の原料ガスを供給し、核生成サイトに半導体3をワイヤー状に成長させる。第3〜4の原料ガスを供給し、半導体3上に半導体4を、半導体4上に半導体5をワイヤー状に成長させる。基板6上に核生成サイトを配設し、第1の原料ガスを供給して、核生成サイトに半導体2aをワイヤー状に成長させ、第2〜4の原料ガスを供給して、半導体2a上に半導体3を、半導体3上に半導体4を、半導体4上に半導体5ワイヤー状に成長させる。前記半導体は基板2,6に近いほどバンドギャップが狭く、離れるほどバンドギャップが広い。核生成サイトはAu等の触媒粒子からなる。半導体2,2aはGeであり、半導体3はInGaAsであり、半導体4はGaAsであり、半導体5はAlGaAsである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の単接合型太陽電池を形成する第1の半導体からなる基板上に核生成サイトを配設する工程と、第1の原料ガスを供給して、該核生成サイトに第2の半導体からなる第2の単接合型太陽電池をワイヤー状に成長させる工程とを備えることを特徴とする多接合型太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L31/04 E , H01L21/205

Fターム (23件)：

5F045AA04 , 5F045AB05 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F045DB09 , 5F051AA08 , 5F051BA11 , 5F051CB08 , 5F051CB12 , 5F051DA01 , 5F051DA07 , 5F051DA11 , 5F051DA20 , 5F051GA04 , 5F051GA06 , 5F051GA11 , 5F051GA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

多接合太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210618 出願人：株式会社ジャパンエナジー

審査官引用 (5件)

特開平4-296060
特開昭53-031987
光電変換材料用構造体、それを用いた電池及び光電変換装置、並びに金属酸化物構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-393224 出願人：旭化成ケミカルズ株式会社, 斎藤秀俊

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