特許

J-GLOBAL ID：200903070624392101

半導体記憶装置

発明者： 中田 義朗 ,  日比 紀孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-334870
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体記憶装置の接合リーク等による蓄積電極電荷の消失に起因した誤動作を抑制し、保持特性の改善、及びリフレッシュサイクルの長時間化を可能とする。【構成】 リフレッシュ動作後プレート電極5の電位を時間経過と共に上昇させるプレート電位制御回路10を有することにより、VCC電位が書き込まれたセルノード6の電位がリーク電流(主に接合リーク)により低下するのを、セルノード6とプレート電極5の結合容量を利用して補償する。【効果】 保持特性の向上と、リフレッシュサイクルの長時間化を可能にする。

請求項（抜粋）：

リフレッシュ動作後プレート電位を時間と共に変化させる回路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/404 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 491

FI (3件)：

G11C 11/34 352 D ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 325 U