特許
J-GLOBAL ID：200903070625752020
量子素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232803
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075094
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 2つの量子細線及び絶縁膜を介してこれらに挾まれた量子ドットよりなる量子素子の製造方法を提供する。【構成】 絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上に所定の形状にマスクを形成する第1の工程と、シリコン結晶の異方性エッチングを行ない、稜線部を形成する第2の工程と、稜線部シリコンの所定の領域を収束イオンビームによるエッチングにより除去して溝部を形成する第3の工程と、酸化処理を行なう第4の工程よりなる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された単結晶シリコン基板上のシリコン薄膜上の量子細線の所定の領域を収束イオンビームによるエッチングにより溝を形成する第1の工程と、酸化処理を行なう第2の工程よりなることを特徴とする量子素子の製造方法。
IPC (2件)：
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