特許

J-GLOBAL ID：200903070628207503

スタンパの製造方法

発明者： 中谷 健司 ,  堀家 彬宏
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161964
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350181
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】 成形する基板のより微細な溝、ピット等のの凹部を形成するためのスタンパの凸部を正確に形成できるスタンパの製造方法。【解決手段】 樹脂の成形に用いる片面に所定パターン形状の凸部が形成されたスタンパの製造方法において、平坦な表面の原盤上に有機薄膜を所定の厚みに塗膜後、有機薄膜上にホトレジスト層を塗膜し、このホトレジスト層を形成する凸部のパターン形状に従ってレーザビームによって露光し、露光されたホトレジスト層を現像処理して露光部分を除去し、フォトレジスト層の露光部分の除去によって露出された前記有機薄膜の部分をエッチングして除去し、さらに前記ホトレジスト層の残留部分を除去し、次いで基板の露出部分と有機薄膜の残留部分の全面上に導電膜を堆積した後、電気メッキ法を用いて金属膜を所定の厚みに堆積し、金属膜を原盤から剥離してスタンパとすることを特徴とするスタンパの製造方法。

請求項（抜粋）：

樹脂の成形に用いる片面に所定パターン形状の凸部が形成されたスタンパの製造方法において、平坦な表面の原盤上に有機薄膜を所定の厚みに塗膜後、有機薄膜上にホトレジスト層を塗膜し、このホトレジスト層を形成する凸部の形状パターンに従ってレーザビームによって露光し、露光されたホトレジスト層を現像処理して露光部分を除去し、フォトレジスト層の露光部分の除去によって露出された前記有機薄膜の部分をエッチングして除去し、さらに前記ホトレジスト層の残留部分を除去し、次いで基板の露出部分と有機薄膜の残留部分の全面上に導電膜を堆積した後、電気メッキ法を用いて金属膜を所定の厚みに堆積し、金属膜を原盤から剥離してスタンパとすることを特徴とするスタンパの製造方法。

IPC (3件)：

C25D 1/00 321 ,  B29C 33/38 ,  G11B 7/26 511

FI (3件)：

C25D 1/00 321 ,  B29C 33/38 ,  G11B 7/26 511