特許

J-GLOBAL ID：200903070636144049

露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

発明者： 金子 謙一郎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327852
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144009
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 基板上に転写形成されるパターン像の形状ばらつきの発生を抑制する。【解決手段】 制御装置50が、累進焦点露光法を用いてマスクRに形成されたパターンを基板W上に投影し、そのパターンの像を基板W上に転写形成するに際して、エネルギビームELが投影光学系PLを介して照射される照射領域IAの基板表面の位置に応じて、結像面と基板表面との相対位置に応じた基板上に与えられるエネルギ量の分布、及び基板上に与えられる積算エネルギ量を変更する。このため、例えば予め求めた基板上のレジスト層厚さのばらつきの分布の情報に応じて、この分布の影響を軽減するようなエネルギ量の分布及び積算エネルギの少なくとも一方の変更が可能となり、結果的に、投影光学系の焦点深度を実質的に増大できるとともに、基板上に形成されるパターン像の位置による形状ばらつきを抑制することが可能となる。

請求項（抜粋）：

エネルギビームをパターンが形成されたマスクに照射し、前記エネルギビームが投影光学系を介して照射される基板表面の照射領域が常に前記投影光学系の結像面を含む光軸方向の所定幅の範囲内となり、かつ前記基板上に与えられるエネルギ量の前記結像面を基準とする前記基板表面の位置に関する分布が所望の分布となるように、前記結像面と前記基板との前記投影光学系の光軸方向の相対位置関係を所定の手順で連続的又は断続的に変更して前記パターンを前記基板上に転写する露光方法において、前記パターンを前記基板上に転写するに際し、前記エネルギビームが照射される領域の前記基板上の位置に応じて前記エネルギ量の分布を変更することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/207

FI (4件)：

G03F 7/207 H ,  G03F 7/207 Z ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 516 D

Fターム (14件)：

2H097BA01 ,  2H097BB01 ,  2H097CA13 ,  2H097GB01 ,  2H097KA38 ,  2H097LA10 ,  2H097LA12 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB08 ,  5F046DA00 ,  5F046DA02 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14