半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183273
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】エッチング選択比を持つ薄膜構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】半導体装置は、基板1上に、フッ素を含有しないシリコン酸化膜2と、フッ素を含有するシリコン酸化膜3とを順次積層した膜構造、又は、フッ素濃度が膜厚方向で異なるシリコン酸化膜を有する膜構造を有する。フッ素の濃度の違いでシリコン酸化膜のエッチング速度が異なることを利用して、配線溝4の形成に必要な選択比を得ることで、エッチングを自動停止する。フッ素の濃度でシリコン酸化膜の特性が大きく変化しないので、不純物を含まないシリコン酸化膜と同様に良質な膜構造が得られる。また、フッ素を含有させることで比誘電率が低下するため、デバイスの高速化も可能となる。

請求項（抜粋）：

フッ素を実質的に含有しない又はフッ素濃度が低いシリコン酸化膜と、フッ素を含有する又はフッ素濃度が高いシリコン酸化膜とを連続して堆積し、フッ素濃度が膜厚方向に異なる積層構造又は単層構造に形成した膜構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-319549 出願人：日本電気株式会社
特開平4-333235
特開平2-203536

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