特許
J-GLOBAL ID：200903070655860057
薄膜形成方法およびスパッタリング装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138347
公開番号（公開出願番号）：特開平5-331641
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 複数の大型ガラス基板に薄膜電子装置を形成する際に用いる電極膜、絶縁膜、半導体膜等を効率よく製膜できる薄膜形成方法およびスパッタリング装置を提供する。【構成】 n枚の基板上に順次薄膜を形成する薄膜形成方法において、tp秒間で高真空排気、ガス導入、ガス圧調整等の前準備を行い、上記n枚の基板1のうち一枚の基板1をtm秒間で予備室3から製膜室5に移動し、tb秒間で基板温度調整等の製膜準備を行った後、ta秒間で製膜を行い、n(ta+tb)≧tm+tpなる関係を成立させて、順次上記n枚の基板1上に薄膜を形成する構成よりなる。
請求項（抜粋）：
n枚の基板上に順次薄膜を形成する薄膜形成方法において、tp秒間で高真空排気、ガス導入、ガス圧調整等の前準備を行い、前記n枚の基板のうち一枚の基板をtm秒間で予備室から製膜室に移動し、tb秒間で基板温度調整等の製膜準備を行った後、ta秒間で製膜を行い、n(ta+tb)≧tm+tpなる関係を成立させて、順次前記n枚の基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/56
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 29/784
