特許

J-GLOBAL ID：200903070657957996

誤り訂正装置

発明者： 石本 真一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサスソリューションズ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-170909
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011386
出願日： 2003年06月16日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】不揮発性メモリの2ビット誤り訂正を容易に行なうことが可能な誤り訂正装置を提供すること。【解決手段】テーブルには、1物理セルに格納される2つの論理情報に対応する2ビットに誤りが発生する場合のシンドロームに対応して、誤り位置情報が格納される。たとえば、512バイト目のデータのビット0およびビット4に誤りがある場合(Data[511]=11)には、シンドローム値(CRCD)が0x0108となる。したがって、所定長のデータとECCコードとから計算されたシンドローム値に基づいて、2ビットの誤り位置情報を検索し、容易に誤り訂正を行なうことが可能になる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

1物理セルに2つの論理情報を格納する不揮発性メモリの誤りを訂正する誤り訂正装置であって、 1物理セルに格納される2つの論理情報に対応する2ビットに誤りが発生する場合のシンドロームに対応する誤り位置情報を格納するためのテーブルと、 所定データ長のデータとそれに付加された誤り検出/訂正用コードとからシンドロームを演算し、演算されたシンドロームに基づいて前記テーブルを検索して2ビットの誤りを訂正するための2ビット訂正手段とを含む、誤り訂正装置。

IPC (7件)：

G11C29/00 ,  G06F11/10 ,  G06F12/16 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  H03M13/09 ,  H03M13/15

FI (7件)：

G11C29/00 631Z ,  G06F11/10 330K ,  G06F12/16 320G ,  H03M13/09 ,  H03M13/15 ,  G11C17/00 639C ,  G11C17/00 641

Fターム (22件)：

5B001AA04 ,  5B001AB02 ,  5B001AD03 ,  5B018GA02 ,  5B018HA14 ,  5B018KA01 ,  5B018NA06 ,  5B018QA14 ,  5B018RA02 ,  5B025AD13 ,  5B025AE08 ,  5J065AA01 ,  5J065AB01 ,  5J065AC03 ,  5J065AD04 ,  5J065AE06 ,  5J065AF03 ,  5J065AG02 ,  5J065AH06 ,  5J065AH15 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12