特許

J-GLOBAL ID：200903070658139553

p型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法

発明者： 速水 善範 ,  小出 任子
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-091595
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270517
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 表面光電圧法によってp型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を測定する方法において、試料に特別な処理を行うことなく、p型シリコンエピタキシャル層の真のキャリア濃度を非接触かつ迅速・簡便に測定できる方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に成長させたp型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定する方法において、予めキャリア濃度の経時変化を求めておき、エピタキシャルウエーハ製造装置からウエーハを取り出してから表面光電圧法によりキャリア濃度を測定するまでの時間を計測することによって、キャリア濃度の測定値NS と前記キャリア濃度の経時変化とから真のキャリア濃度NO を求める、ことを特徴とするp型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に成長させたp型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定する方法において、予めキャリア濃度の経時変化を求めておき、エピタキシャルウエーハ製造装置からウエーハを取り出してから表面光電圧法によりキャリア濃度を測定するまでの時間を計測することによって、キャリア濃度の測定値NS と前記キャリア濃度の経時変化とから真のキャリア濃度NO を求める、ことを特徴とするp型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法。