特許
J-GLOBAL ID：200903070658496062
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104506
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314668
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置に関し、簡単なプロセスにより短時間で、積層膜の目的とする層まで均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも2種類の物質の層からなる積層膜をエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングを停止しようとする層の直上の層に到達するまでは、前記の少なくとも2種類の物質を等速的にエッチングするエッチングガスを使用し、エッチングを停止しようとする層の直上の層からは、エッチングガスにエッチングを停止しようとする層のエッチング速度を低下させる添加ガスを添加する。
請求項（抜粋）：
少なくとも2種類の物質の層からなる積層膜をエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングを停止しようとする層の直上の層に到達するまでは、前記少なくとも2種類の物質を等速的にエッチングするエッチングガスを使用し、前記エッチングを停止しようとする層の直上の層からは、前記エッチングガスに前記エッチングを停止しようとする層のエッチング速度を低下させる添加ガスを添加することを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
