特許

J-GLOBAL ID：200903070665005228

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 石川 克也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057092
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255888
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 微細化を行った際に感度特性および飽和特性の向上を図れ、フォトダイオード部からの電荷の読み出しを容易に行える固体撮像装置を実現する。【構成】 埋め込みフォトダイオードn層6を通常のフォトダイオードn層5の直下および垂直CCDn+ 層4の下方に渡って形成したことにより、フォトダイオードの電荷蓄積領域の面積が大きくなるため微細化したフォトダイオードで飽和特性を改善できる。さらに、垂直CCDn+ 層4の一端に設けたトレンチの側壁にチャンネルドープp- 層10を形成し、トレンチ内および垂直CCDn+ 層4上にポリシリコン電極12を形成したことにより、深い位置の埋め込みフォトダイオードn層6から垂直CCDn+ 層4へ容易に読み出すことができるとともに感度特性の向上を図れる。また、p型ウエル3で発生したスミア電荷が埋め込みフォトダイオードn層6に流れるため、スミア特性の向上を図れる。

請求項（抜粋）：

一導電型のフォトダイオード部および一導電型の垂直転送部をアレイ状に配列した固体撮像装置であって、前記フォトダイオード部と電気的に接続された一導電型の埋め込み電荷蓄積層を前記フォトダイオード部の直下から前記垂直転送部の下方に渡って形成し、前記垂直転送部の前記フォトダイオード部と反対側に前記垂直転送部と前記埋め込み電荷蓄積層とが露出するトレンチを設け、前記トレンチの前記垂直転送部と前記埋め込み電荷蓄積層とが露出した部分にチャンネル領域を形成し、前記トレンチ内および前記垂直転送部上に絶縁膜を介して読み出し・転送電極を形成したことを特徴とする固体撮像装置。