特許
J-GLOBAL ID：200903070666881323
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195760
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045313
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】化学-機械研磨法において、層間絶縁膜の膜厚を一定にする。【構成】配線パターンを形成した半導体基板21上に、常圧酸化膜25を成長し、その上にプラズマ窒化膜24を成長させ、更にプラズマ酸化膜26を成長させる。次に化学-機械研磨法を用いて全面をエッチバックすると、配線上の窒化膜がエッチングのストッパーとして働き、非配線上の酸化膜はそれ以上、エッチングされず、配線部と非配線部との段差がなくなり、層間絶縁膜の平坦化が行える。【効果】窒化膜をエッチングのストッパーとして用いることで、層間絶縁膜の膜厚が一定になる。また研磨時の配線上の絶縁膜厚を厚く保てるので、配線に応力がかかることもなく、信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
素子を形成した半導体基板に絶縁膜を形成し、化学-機械研磨法によりエッチバックして表面を平坦化する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜が少なくとも2層から成り、その最上層以外の少なくとも1層が、それよりも上層の膜より化学-機械研磨法のエッチレートの遅い絶縁膜であり、これを化学-機械研磨法によるエッチバックのストッパーとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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