特許
J-GLOBAL ID：200903070667131719
3-5族化合物半導体と発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283436
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】Inを含む高品質で大面積の3-5族化合物半導体及びこれを用いた高い発光効率を有する発光素子を提供する。【構成】(1)発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であり、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体において、バッファ層が酸化亜鉛の薄膜であって、基板面がサファイアの、A面、M面又はR面のいずれかであることを特徴とする3-5族化合物半導体。(2)前記(1)記載の3-5族化合物半導体を用いた発光素子。
請求項（抜粋）：
発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であり、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体において、バッファ層が酸化亜鉛の薄膜であって、基板面がサファイアの、A面、M面又はR面のいずれかであることを特徴とする3-5族化合物半導体。
IPC (2件)：
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