特許

J-GLOBAL ID：200903070668278160

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107664
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296041
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 p型窒化ガリウム系化合物半導体に電流が均一に流れるような電極を形成することにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光層の発光を均一化させ発光素子の発光効率を向上させる。【構成】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたp型電極と、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面からエッチングされて露出されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたn型電極とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型電極は前記n型電極との距離に比例して面積が大きくなるように形成されている。

請求項（抜粋）：

p型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたp型電極と、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面からエッチングされて露出されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたn型電極とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型電極は前記n型電極との距離に比例して面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。